Name: IQDH88N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH88N06LM5ATMA1TR-ND
Price: 133.8986 CZK
Availability: InStock

IQDH88N06LM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH88N06LM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH88N06LM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH88N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH88N06LM5ATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-9
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQDH88N06LM5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	42A (Ta), 447A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,86mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 163µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	202 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-9
Pouzdro	8-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	110,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:	133,89860 Kč

IQDH88N06LM5ATMA1