Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 141.8967 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 163µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHTFN-9-U02
Pouzdro	9-PowerWDFN