Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 127.5461 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 0,49mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 1,449mA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 78 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12000 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHTFN-9-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 9-PowerWDFN