Name: IQD005N04NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD005N04NM6SCATMA1TR-ND
Price: 125.7674 CZK
Availability: InStock

N-kanál 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-U02

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQD005N04NM6SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQD005N04NM6SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQD005N04NM6SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQD005N04NM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQD005N04NM6SCATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQD005N04NM6SCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 0,49mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,8V při 1,449mA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 163 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12000 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 57A (Ta), 597A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHSON-8-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerWDFN