Name: IQDH35N03LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5SCATMA1TR-ND
Price: 84.4338 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH35N03LM5SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH35N03LM5SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH35N03LM5SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH35N03LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH35N03LM5SCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQDH35N03LM5SCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	66A (Ta), 700A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,35mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 1,46mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	114 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	18000 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHSON-8-U02
Pouzdro	8-PowerWDFN