IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IQDH35N03LM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IQDH35N03LM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IQDH35N03LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Popis
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce
39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™ 5
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
66A (Ta), 700A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,35mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 1,46mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
114 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
18000 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-WHTFN-9-U02
Pouzdro
9-PowerWDFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4 897
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
195,57000 Kč95,57 Kč
1063,19200 Kč631,92 Kč
10044,76910 Kč4 476,91 Kč
50041,46598 Kč20 732,99 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00033,87736 Kč169 386,80 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:95,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:115,63970 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
IQDH35N03LM5ATMA1

IQDH35N03LM5ATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

88,62000 Kč
IQDH35N03LM5CGATMA1

IQDH35N03LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Infineon Technologies

63,36000 Kč
IQDH29NE2LM5CGATMA1

IQDH29NE2LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Infineon Technologies

64,20000 Kč
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

94,09000 Kč
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Infineon Technologies

61,47000 Kč
IQFH36N04NM6ATMA1

IQFH36N04NM6ATMA1

IQFH36N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

110,72000 Kč
IQDH29NE2LM5SCATMA1

IQDH29NE2LM5SCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

94,09000 Kč
IQDH29NE2LM5ATMA1

IQDH29NE2LM5ATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

89,67000 Kč
SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK

Vishay Siliconix

51,57000 Kč