Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 92.9885 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH29NE2LM5CGATMA1
Popis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montáž na povrch PG-TTFN-9-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 1,448mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 254 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 17000 pF @ 12 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TTFN-9-U02
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Pouzdro 9-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IQDH29
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,29mOhm při 50A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 909

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®