Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 82.4131 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,29mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 1,448mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	17000 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHSON-8-U02
Pouzdro	8-PowerWDFN

Jednotková cena bez DPH:	68,11000 Kč
Jednotková cena s DPH:	82,41310 Kč

IQDH29NE2LM5SCATMA1