IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Popis
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce
39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™ 5
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
75A (Ta), 789A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,29mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 1,448mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
17000 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-WHTFN-9-U02
Pouzdro
9-PowerWDFN
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
173,32000 Kč73,32 Kč
1061,49000 Kč614,90 Kč
10050,42110 Kč5 042,11 Kč
50040,54060 Kč20 270,30 Kč
1 00040,15607 Kč40 156,07 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00040,41853 Kč202 092,65 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:73,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:88,71720 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
IQDH29NE2LM5SCATMA1

IQDH29NE2LM5SCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

68,11000 Kč
IQDH29NE2LM5CGATMA1

IQDH29NE2LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Infineon Technologies

63,53000 Kč
IQDH29NE2LM5ATMA1

IQDH29NE2LM5ATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

66,24000 Kč
XPQR3004PB,LXHQ

XPQR3004PB,LXHQ

40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

145,19000 Kč
IQDH35N03LM5CGSCATMA1

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

63,32000 Kč
IQE004NE1LM7CGSCATMA1

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

46,24000 Kč