IPP50R399CPHKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 875
Jednotková cena : 62,78000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 807
Jednotková cena : 99,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 729
Jednotková cena : 60,89000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 735
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 133,76000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 53,30273 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 109
Jednotková cena : 60,26000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 594
Jednotková cena : 48,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 887
Jednotková cena : 108,14000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 95,75000 Kč
Katalogový list
N-kanál 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP50R399CPHKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP50R399CPHKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP50R399CPHKSA1
Popis
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
560 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 4,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 330µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
890 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-1
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.