IPP100N08N3GXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 75,17000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 942
Jednotková cena : 57,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 3 061
Jednotková cena : 49,35000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 460
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 48,71607 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 124
Jednotková cena : 99,95000 Kč
Katalogový list
N-kanál 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP100N08N3GXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPP100N08N3GXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP100N08N3GXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP100N08N3GXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
10mOhm při 46A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 46µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2410 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.