Name: IPP200N15N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP200N15N3GXKSA1-ND
Price: 90.9557 CZK
Availability: OutOfStock

IPP200N15N3GXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPP200N15N3GXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP200N15N3GXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP200N15N3GXKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1820 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP200

Jednotková cena bez DPH:	75,17000 Kč
Jednotková cena s DPH:	90,95570 Kč

IPP200N15N3GXKSA1