Name: IPL65R070C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R070C7AUMA1TR-ND
Price: 198.4158 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPL65R070C7AUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPL65R070C7AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPL65R070C7AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPL65R070C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPL65R070C7AUMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 28A (Tc) 169W (Tc) Montáž na povrch PG-VSON-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPL65R070C7AUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	70mOhm při 8,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 850µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3020 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	169W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-VSON-4
Pouzdro	4-PowerTSFN
Základní číslo produktu	IPL65R070

Jednotková cena bez DPH:	163,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:	198,41580 Kč

IPL65R070C7AUMA1