Name: IPF016N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 152.823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPF016N10NF2SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPF016N10NF2SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPF016N10NF2SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPF016N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPF016N10NF2SATMA1
Popis	TRENCH >=100V
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 274A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-14
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPF016N10NF2SATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™ 2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	274A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,6mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 267µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	241 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-14
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	IPF016N