Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



IPD60R520C6BTMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPD60R520C6BTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPD60R520C6BTMA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 8,1A (Tc) 66W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 230µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23.4 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 512 pF @ 100 V |
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey | Rozptylový výkon (Max) 66W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 520mOhm při 2,8A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 873 | 785-1266-1-ND | 57,74000 Kč | Similar |
| FCD7N60TM-WS | onsemi | 1 178 | FCD7N60TM-WSCT-ND | 69,08000 Kč | Similar |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 345 | IXTY8N65X2-ND | 98,90000 Kč | Similar |
| IXTY8N70X2 | IXYS | 0 | IXTY8N70X2-ND | 106,88000 Kč | Similar |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | 61,52000 Kč | Similar |






