Name: IPD60R280P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7SAUMA1TR-ND
Price: 42.4347 CZK
Availability: OutOfStock

IPD60R280P7SAUMA1 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 2 145

Jednotková cena : 53,54000 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 0

Jednotková cena : 66,35000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD60R280P7SAUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60R280P7SAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60R280P7SAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60R280P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R280P7SAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R280P7SAUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	280mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 190µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	761 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	53W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60R