Name: IPD60R1K5CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
Price: 22.869 CZK
Availability: InStock

IPD60R1K5CEAUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R1K5CEAUMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 5A (Tc) 49W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R1K5CEAUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CE
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,5Ohm při 1,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	200 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	49W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD60R

Jednotková cena bez DPH:	18,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,86900 Kč

IPD60R1K5CEAUMA1