Name: DMN3033LSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3033LSNDITR-ND
Price: 19.5657 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3033LSN-7
Číslo produktu DigiKey	DMN3033LSNDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3033LSNDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3033LSNDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3033LSN-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 6A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch SC-59-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10.5 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 755 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,4W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SC-59-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 30mOhm při 6A, 10V	Základní číslo produktu DMN3033