Name: IPD60R280P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7ATMA1TR-ND
Price: 65.7998 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD60R280P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD60R280P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD60R280P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD60R280P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD60R280P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD60R280P7ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 190µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 761 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 53W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPD60R
Rds zap (max) při Id, Vgs 280mOhm při 3,8A, 10V