IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPB60R190P6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R190P6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P6
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 7,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 630µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1750 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	151W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R