Name: IPB60R180P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180P7ATMA1TR-ND
Price: 73.931 CZK
Availability: InStock

IPB60R180P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB60R180P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB60R180P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB60R180P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R180P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R180P7ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 5,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1081 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	72W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R180

Jednotková cena bez DPH:	61,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:	73,93100 Kč

IPB60R180P7ATMA1