Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 181.6936 CZK
Availability: InStock

N-kanál 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Popis	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 2mOhm při 100A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 280µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 206 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 17000 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta), 176A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V, 15V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB