N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB020N10N5ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB020N10N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB020N10N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB020N10N5ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,8V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
15600 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB020
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4 148
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1133,66000 Kč133,66 Kč
1089,51700 Kč895,17 Kč
10064,45040 Kč6 445,04 Kč
50057,72184 Kč28 860,92 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00047,15839 Kč47 158,39 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:133,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:161,72860 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

13,35000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

42,09000 Kč
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

78,84000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3

Infineon Technologies

139,00000 Kč
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3

Diodes Incorporated

17,86000 Kč
SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263

Vishay Siliconix

105,74000 Kč
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

119,29000 Kč
NTB004N10G

NTB004N10G

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

onsemi

134,28000 Kč
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

119,29000 Kč
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Infineon Technologies

140,85000 Kč
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Infineon Technologies

116,62000 Kč
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Infineon Technologies

60,98000 Kč