IPA65R660CFDXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 992
Jednotková cena : 75,59000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 359
Jednotková cena : 65,30000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 953
Jednotková cena : 107,93000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 17
Jednotková cena : 63,62000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 6A (Tc) 27,8W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-111
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA65R660CFDXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPA65R660CFDXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPA65R660CFDXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 6A (Tc) 27,8W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-111
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
660mOhm při 2,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
615 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
27,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-111
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.