N-kanál 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK8A65D(STA4,Q,M)

Číslo produktu DigiKey
TK8A65D(STA4QM)-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TK8A65D(STA4,Q,M)
Popis
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
TK8A65D(STA4,Q,M) Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
π-MOSVII
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
840mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
45W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220SIS
Pouzdro
Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu
TK8A65
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 17
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
170,13000 Kč70,13 Kč
5034,98260 Kč1 749,13 Kč
10031,56840 Kč3 156,84 Kč
50025,58228 Kč12 791,14 Kč
1 00023,65866 Kč23 658,66 Kč
2 00022,04171 Kč44 083,42 Kč
5 00020,31557 Kč101 577,85 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:70,13000 Kč
Jednotková cena s DPH:84,85730 Kč