PG-TO263-7-12
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R053M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMBG120R053M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMBG120R053M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMBG120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IMBG120R053M2HXTMA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 41A (Tc) 205W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™ G2
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
41A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
52,6mOhm při 13,2A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 4,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1010 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
205W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-7-12
Pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu
IMBG120R053
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 779
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1181,87000 Kč181,87 Kč
10124,21600 Kč1 242,16 Kč
10097,83620 Kč9 783,62 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00079,93211 Kč79 932,11 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:181,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:220,06270 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
IMBG120R017M2HXTMA1

IMBG120R017M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 107A TO263

Infineon Technologies

378,06000 Kč
G3R160MT12J-TR

G3R160MT12J-TR

1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF

GeneSiC Semiconductor

152,82000 Kč
IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Infineon Technologies

103,36000 Kč
IMBG65R040M2HXTMA1

IMBG65R040M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

175,98000 Kč
IMBG120R078M2HXTMA1

IMBG120R078M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 29A TO263

Infineon Technologies

153,24000 Kč
IMBG120R040M2HXTMA1

IMBG120R040M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 52A TO263

Infineon Technologies

211,13000 Kč
IMBF170R450M1XTMA1

IMBF170R450M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Infineon Technologies

141,46000 Kč
IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

Infineon Technologies

203,13000 Kč
IMBG120R026M2HXTMA1

IMBG120R026M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 75A TO263

Infineon Technologies

270,70000 Kč
IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 87A TO263

Infineon Technologies

316,38000 Kč