PG-TO263-7-12
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R078M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMBG120R078M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMBG120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IMBG120R078M2HXTMA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 29A (Tc) 158W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™ G2
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
78,1mOhm při 8,9A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 2,8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
20.6 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
700 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
158W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-7-12
Pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu
IMBG120R078
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 829
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1153,24000 Kč153,24 Kč
10103,69200 Kč1 036,92 Kč
10077,95660 Kč7 795,66 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00063,67878 Kč63 678,78 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:153,24000 Kč
Jednotková cena s DPH:185,42040 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522

Infineon Technologies

98,30000 Kč
IMBG120R053M2HXTMA1

IMBG120R053M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 41A TO263

Infineon Technologies

181,87000 Kč
IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 189A TO263

Infineon Technologies

681,81000 Kč
IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263

Infineon Technologies

110,51000 Kč
IMZC120R078M2HXKSA1

IMZC120R078M2HXKSA1

SICFET N-CH 1200V 28A TO247

Infineon Technologies

169,45000 Kč
C3M0075120J

C3M0075120J

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Wolfspeed, Inc.

271,12000 Kč
IDM05G120C5XTMA1

IDM05G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522

Infineon Technologies

69,25000 Kč
BAS170WE6327HTSA1

BAS170WE6327HTSA1

DIODE SCHOTT 70V 70MA PGSOD3233D

Infineon Technologies

7,58000 Kč