Name: IMBG120R034M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND
Price: 270.4955 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG120R034M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG120R034M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBG120R034M2HXTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 58A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™ G2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	34mOhm při 20,4A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5.1V @ 6.4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1510 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA