Name: IMBF170R450M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND
Price: 172.2677 CZK
Availability: InStock

IMBF170R450M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBF170R450M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBF170R450M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBF170R450M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 9,8A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-13
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMBF170R450M1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	12V, 15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	450mOhm při 2A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	5,7V při 2,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 12 V
Vgs (max)	+20V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	610 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	107W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-13
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	IMBF170

Jednotková cena bez DPH:	142,37000 Kč
Jednotková cena s DPH:	172,26770 Kč

IMBF170R450M1XTMA1