Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 144.1594 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMBF170R650M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBF170R650M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 7,4A (Tc) 88W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-13
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	12V, 15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	650mOhm při 1,5A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	5,7V při 1,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8 nC @ 12 V
Vgs (max)	+20V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	422 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	88W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-13
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	IMBF170

Jednotková cena bez DPH:	119,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	144,15940 Kč

IMBF170R650M1XTMA1