Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 155.4971 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBF170R650M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBF170R650M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 7,4A (Tc) 88W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-13
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,7V při 1,7mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8 nC @ 12 V
Řada CoolSiC™	Vgs (max) +20V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 422 pF @ 1000 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 88W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1700 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-13
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 7,4A (Tc)	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 12V, 15V	Základní číslo produktu IMBF170
Rds zap (max) při Id, Vgs 650mOhm při 1,5A, 15V