Name: IGL65R055D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R055D2XUMA1TR-ND
Price: 167.4398 CZK
Availability: InStock

IGL65R055D2XUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGL65R055D2XUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGL65R055D2XUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGL65R055D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGL65R055D2XUMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 22A (Tc) 111W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TSON-8-U06
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™ G5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	70mOhm při 7,9A
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 2,6mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	340 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	111W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-U06
Pouzdro	8-TDFN podložka pro odvod tepla

Jednotková cena bez DPH:	138,38000 Kč
Jednotková cena s DPH:	167,43980 Kč

IGL65R055D2XUMA1