Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 341.4741 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NV6029
Číslo produktu DigiKey	1913-NV6029TR-ND - Páska a cívka (TR) 1913-NV6029CT-ND - Řezaná páska (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Navitas Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce	NV6029
Popis	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 30A (Tc) 135W (Tc) Montáž na povrch 8-PDFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 70mOhm při 12A, 6V
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max) při Id 2,8V při 24mA
Řada GaNFast™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 227 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 135W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PDFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-VDFN podložka pro odvod tepla