Name: IAUCN08S7N024TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND
Price: 91.234 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN08S7N024TATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN08S7N024TATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN08S7N024TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN08S7N024TATMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 165A (Tj) 157W (Tc) Montáž na povrch PG-LHDSO-10-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	165A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,44mOhm při 83A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,2V při 74,7µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4849 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	157W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-LHDSO-10-1
Pouzdro	10-LSOP (0,216", 5,48mm šířka) podložka pro odvod tepla