Name: IAUCN08S7N019TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND
Price: 126.2756 CZK
Availability: InStock

N-kanál 80 V 175A (Tj) 180W (Tc) Montáž na povrch PG-LHDSO-10-2

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN08S7N019TATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN08S7N019TATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN08S7N019TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN08S7N019TATMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 175A (Tj) 180W (Tc) Montáž na povrch PG-LHDSO-10-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN08S7N019TATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,2V při 93,4µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 88 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6061 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 180W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 175A (Tj)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-LHDSO-10-2
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,94mOhm při 88A, 10V	Pouzdro 10-LSOP (0,209", 5,30mm šířka) podložka pro odvod tepla