Name: IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND
Price: 124.4969 CZK
Availability: InStock

IAUCN08S7L013ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN08S7L013ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN08S7L013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN08S7L013ATMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 293A (Tj) 219W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-53
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN08S7L013ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	293A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,26mOhm při 88A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 131µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9554 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	219W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-53
Pouzdro	8-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	102,89000 Kč
Jednotková cena s DPH:	124,49690 Kč

IAUCN08S7L013ATMA1