PG-TSDSON-8-34
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ123N08NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ123N08NS3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ123N08NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12,3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 33µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1700 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 66W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo produktu
BSZ123
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 36 320
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
131,87000 Kč31,87 Kč
1024,85000 Kč248,50 Kč
10016,78900 Kč1 678,90 Kč
50013,29620 Kč6 648,10 Kč
1 00012,29532 Kč12 295,32 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00010,04527 Kč50 226,35 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:31,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:38,56270 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,37000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,50000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,62000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,50000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,24000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,75000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

46,87000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON

Infineon Technologies

26,25000 Kč
IPZ40N04S5L4R8ATMA1

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Infineon Technologies

18,96000 Kč
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

32,49000 Kč
BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

22,91000 Kč
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

Infineon Technologies

29,37000 Kč
BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON

Infineon Technologies

39,79000 Kč
BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

Infineon Technologies

29,37000 Kč
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Infineon Technologies

15,21000 Kč
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Diodes Incorporated

2,29000 Kč
2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236

Vishay Siliconix

4,79000 Kč