Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 47.7708 CZK
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ123N08NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ123N08NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 33µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 66W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	BSZ123

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	10,28856 Kč	51 442,80 Kč
10 000	10,12629 Kč	101 262,90 Kč

Jednotková cena bez DPH:	39,48000 Kč
Jednotková cena s DPH:	47,77080 Kč

BSZ123N08NS3GATMA1