Name: BSZ075N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ075N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 83.2722 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ075N08NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ075N08NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ075N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ075N08NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 40A (Tc) 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-26
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ075N08NS5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 36µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29.5 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2080 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 69W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8-26
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu BSZ075
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 20A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 57 871

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®