Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 39.8937 CZK
Availability: InStock

BSZ0901NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ0901NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ0901NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2850 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ0901

Jednotková cena bez DPH:	32,97000 Kč
Jednotková cena s DPH:	39,89370 Kč

BSZ0901NSATMA1