PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TSDSON-8
8-TSDSON

BSZ086P03NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSZ086P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ086P03NS3GATMA1
Popis
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 13,5A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ086P03NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
13,5A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,1V při 105µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4785 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ086
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 8 367
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
121,04000 Kč21,04 Kč
1015,62300 Kč156,23 Kč
10010,27130 Kč1 027,13 Kč
5007,97580 Kč3 987,90 Kč
1 0006,95514 Kč6 955,14 Kč
2 0006,61394 Kč13 227,88 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0005,83969 Kč29 198,45 Kč
10 0005,52430 Kč55 243,00 Kč
15 0005,35592 Kč80 338,80 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:21,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:25,45840 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,37000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,70000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

22,91000 Kč
BSZ0501NSIATMA1

BSZ0501NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON

Infineon Technologies

33,33000 Kč
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Vishay Siliconix

16,46000 Kč
BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON

Infineon Technologies

20,21000 Kč
LTC3863EMSE#TRPBF

LTC3863EMSE#TRPBF

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP

Analog Devices Inc.

156,64000 Kč
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

21,87000 Kč
BSZ0901NSATMA1

BSZ0901NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

30,62000 Kč
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

32,49000 Kč