Name: BSZ086P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 30.2379 CZK
Availability: OutOfStock

BSZ086P03NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ086P03NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ086P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ086P03NS3GATMA1
Popis	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 13,5A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ086P03NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13,5A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,1V při 105µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4785 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ086

Jednotková cena bez DPH:	24,99000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,23790 Kč

BSZ086P03NS3GATMA1