PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ180P03NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ180P03NS3GATMA1
Popis
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 9A (Ta), 39,6A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ180P03NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9A (Ta), 39,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
18mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,1V při 48µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2220 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ180
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 5 474
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
121,68000 Kč21,68 Kč
1013,59800 Kč135,98 Kč
1008,89150 Kč889,15 Kč
5006,86272 Kč3 431,36 Kč
1 0006,20870 Kč6 208,70 Kč
2 0005,65845 Kč11 316,90 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0005,06274 Kč25 313,70 Kč
10 0004,69463 Kč46 946,30 Kč
15 0004,50711 Kč67 606,65 Kč
25 0004,42840 Kč110 710,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:21,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:26,23280 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,52000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,94000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
5 Položky
BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON

Infineon Technologies

19,16000 Kč
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

22,10000 Kč
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

25,05000 Kč
BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

25,05000 Kč
NTR4501NT1G

NTR4501NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

9,05000 Kč