PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ180P03NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ180P03NS3GATMA1
Popis
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 9A (Ta), 39,6A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ180P03NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9A (Ta), 39,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
18mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,1V při 48µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2220 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ180
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 6 974
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
120,21000 Kč20,21 Kč
1012,14400 Kč121,44 Kč
1008,79860 Kč879,86 Kč
5006,79100 Kč3 395,50 Kč
1 0005,88343 Kč5 883,43 Kč
2 0005,59931 Kč11 198,62 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0004,78986 Kč23 949,30 Kč
10 0004,64557 Kč46 455,70 Kč
15 0004,46001 Kč66 900,15 Kč
25 0004,38212 Kč109 553,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:20,21000 Kč
Jednotková cena s DPH:24,45410 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,37000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,70000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
4 Položky
BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON

Infineon Technologies

15,21000 Kč
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

21,87000 Kč
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

21,04000 Kč
NTR4501NT1G

NTR4501NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

6,46000 Kč