Name: BSC150N03LDGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC150N03LDGATMA1TR-ND
Price: 39.8695 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC150N03LDGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC150N03LDGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC150N03LDGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC150N03LDGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC150N03LDGATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 8A 26W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC150N03LDGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 15mOhm při 20A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Řada OptiMOS™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13,2nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1100pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 26W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-PowerVDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-4
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A	Základní číslo produktu BSC150

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 48 039

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®