Name: BSC030N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC030N03LSGATMA1TR-ND
Price: 37.6068 CZK
Availability: InStock

BSC030N03LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC030N03LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC030N03LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC030N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC030N03LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4300 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC030

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	6,66661 Kč	33 333,05 Kč
10 000	6,34402 Kč	63 440,20 Kč

Jednotková cena bez DPH:	31,08000 Kč
Jednotková cena s DPH:	37,60680 Kč

BSC030N03LSGATMA1