Pole MOSFET 30V 8A 26W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC150N03LD

Číslo produktu DigiKey
2156-BSC150N03LD-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSC150N03LD
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 8A 26W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
15mOhm při 20A, 10V
Výrobce
Infineon Technologies
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
6,4nC při 10V
Balení
Hromadné balení
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1100pF při 15V
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
26W
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Pouzdro
8-PowerVDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-4
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
8A
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 0
Nezrušitelné/nevratné
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Dodací lhůta není k dispozici / zpětné objednávky nejsou povoleny
Může být účtován samostatný poplatek za dopravu.