Name: BSC096N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND
Price: 37.8609 CZK
Availability: InStock

BSC096N10LS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC096N10LS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC096N10LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC096N10LS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 40A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC096N10LS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2100 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC096

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	18,54657 Kč	92 732,85 Kč
10 000	17,85937 Kč	178 593,70 Kč

Jednotková cena bez DPH:	31,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:	37,86090 Kč

BSC096N10LS5ATMA1