
IRFD110 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 2156-IRFD110-ND |
Výrobce | Harris Corporation |
Číslo produktu výrobce | IRFD110 |
Popis | 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 1A (Ta) 1,3W (Ta) Průchozí otvor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.3 nC @ 10 V |
Balení Hromadné balení | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 180 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 1,3W (Ta) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 540mOhm při 600mA, 10V | Základní číslo produktu |



