Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 13.97418 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFD112
Číslo produktu DigiKey	2156-IRFD112-ND
Výrobce	Harris Corporation
Číslo produktu výrobce	IRFD112
Popis	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Průchozí otvor 4-DIP, Hexdip
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Harris Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 7 nC @ 10 V
Balení Hromadné balení	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 135 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 800mA (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 4-DIP, Hexdip
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds zap (max) při Id, Vgs 800mOhm při 800mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 821

Nezrušitelné/nevratné

PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE

Expedice proběhne přibližně za 10 dní od Rochester Electronics LLC

Bude použit samostatný poplatek za dopravu 1 910,82 Kč s paušální sazbou

Maximální nákupní limit

Abychom vyhověli všem potřebám zákazníků v oblasti výzkumu a vývoje, je pro tento produkt stanoven nákupní strop. Tento strop znamená možnost nákupu každých 30 dní; všechny objednávky přesahující tento limit mohou být zrušeny.

Hromadné balení:

821

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení