Name: IRFL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL110PBFTR-ND
Price: 56.0351 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFL110TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFL110PBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFL110PBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRFL110TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFL110TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	540mOhm při 900mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	180 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	IRFL110