Name: IRFL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL110PBFTR-ND
Price: 59.9676 CZK
Availability: OutOfStock

IRFL110TRPBF není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Direct

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 49,56000 Kč

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 54,80000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFL110TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFL110PBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFL110PBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRFL110TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFL110TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.3 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 180 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 540mOhm při 900mA, 10V	Základní číslo produktu IRFL110