Name: ZXMN6A25DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25DN8TR-ND
Price: 52.0905 CZK
Availability: OutOfStock

ZXMN6A25DN8TA
Číslo produktu DigiKey	ZXMN6A25DN8TR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMN6A25DN8CT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMN6A25DN8DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN6A25DN8TA
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 3,8A 1,8W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 3,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20,4nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1063pF při 30V
Výkon - max	1,8W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	ZXMN6

Jednotková cena bez DPH:	43,05000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,09050 Kč

ZXMN6A25DN8TA