Name: ZXMN10A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A25GTATR-ND
Price: 53.8692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ZXMN10A25GTA
Číslo produktu DigiKey	ZXMN10A25GTATR-ND - Páska a cívka (TR) ZXMN10A25GTACT-ND - Řezaná páska (CT) ZXMN10A25GTADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN10A25GTA
Popis	MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2,9A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 859 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,9A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 2,9A, 10V	Základní číslo produktu ZXMN10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 15 283

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)