Name: DMN10H120SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H120SE-13DITR-ND
Price: 23.1836 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN10H120SE-13
Číslo produktu DigiKey	DMN10H120SE-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN10H120SE-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN10H120SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN10H120SE-13
Popis	MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 3,6A (Ta) 1,3W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	110mOhm při 3,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	549 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,3W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223-3
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	DMN10